在日前揭晓的2006年度国家科技进步奖一等奖中，“高端硅基SOI材料研发和产业化”项目榜上有名。研发这一项目的领军人物，是中科院上海微系统与信息技术研究所党委副书记兼副所长、上海新傲科技有限公司董事长兼首席执行官王曦博士。

　　1998年，作为“洪堡学者”的王曦，结束了在欧洲最大的离子束材料研究基地的工作回国。当时，一种名叫“绝缘体上硅（SOI）”的新技术被IBM用于服务器材料中，国际上公认其为21世纪的硅集成电路技术。我国虽从上世纪80年代起研究SOI技术，但一直处于论文和实验室阶段，西方国家对我国严密封锁这一技术。“一定要成功研发出SOI材料，并让其走出实验室，走向市场。”王曦立下誓言。在863、973等计划支持下，他运用自己专长的“离子注入技术”，带领团队进行一系列重大创新。

　　那些日子里，王曦不仅承担技术研发的重任，还挑起企业运作的担子。从资金、设备到经营、管理，一切从头学起、白手起家。2002年4月底，王曦和他的团队仅用5个多月，就在上海新傲科技有限公司建成国内第一条具有国际先进水平的SOI生产线。两个月后，第一批SOI圆片材料问世。美国硅谷的《半导体商业新闻》惊呼：中国“突然”出现了一个现代化的SOI圆片工厂。短短5年，中国的SOI产品远销美欧、韩国等地，上海新傲科技有限公司也成为英特尔、三星等知名跨国公司的供货商，是全球第四个SOI研发中心。

　　王曦和他的团队填补了我国SOI晶片材料的空白，为民族电子产业发展作出了贡献。目前，他们又把眼光瞄向国际SOI产业“第二集团”领头羊的目标。